Electrodes for RRAM memory cells

Rram存储器单元电极及其制造方法

Abstract

在其中具有工作结而其上具有金属栓的硅衬底上形成的RRAM存储单元,包括第一抗氧化层、第一难熔金属层、CMR层、第二难熔金属层以及第二抗氧化层。制造多层电极RRAM存储单元的方法包括准备硅衬底;在衬底上形成从N+结和P+结组成的结组中选出的结;在该结上沉积金属栓;在金属栓上沉积第一抗氧化层;在该第一抗氧化层上沉积第一难熔金属层;在该第一难熔金属层上沉积CMR层;在该CMR层上沉积第二难熔金属层;在该第二难熔金属层上沉积第二抗氧化层;以及完成该RRAM存储单元。

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