Semiconductor device and its manufacturing method

半導体装置およびその製造方法

Abstract

【課題】消去速度を向上させることができるとともに書き込み/消去耐性を向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体基板1と、この半導体基板1上に形成された第1ゲート絶縁膜2と、第1ゲート絶縁膜2上に形成された第1ゲート電極3と、半導体基板1上に形成された第1半導体領域5と、第1ゲート電極3の側面上および第1半導体領域5上に形成された第2ゲート絶縁膜6と、第2ゲート絶縁膜6上に形成された電荷蓄積膜7と、電荷蓄積膜7上に形成された層間絶縁膜8と、この層間絶縁膜8上に形成された第2ゲート電極9とを有する半導体装置において、第1ゲート電極の側面の少なくとも一部をテーパ状にする。 【選択図】  図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which can be improved in erasing speed and can be improved in resistance to writing and erasing operations, and to provide a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate 1, first gate insulating film 2 formed on the semiconductor substrate 1, first gate electrode 3 formed on the first gate insulating film 2, first semiconductor region 5 formed in a front surface of the semiconductor substrate 1, second gate insulating film 6 formed on a side face of the first gate electrode 3 and on the first semiconductor region 5, electric charge accumulation film 7 formed on the second gate insulating film 6, interlayer insulating film 8 formed on the electric charge accumulation film 7, and second gate electrode 9 formed on the interlayer insulating film 8. In this semiconductor device, at least a part of the side face of the first gate electrode is made into a tapered shape. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

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