Cmos用歪トランジスタの集積化

Abstract

【解決手段】CMOSデバイスに関連する本発明の様々な実施形態は、(1)選択的に蒸着されたシリコン材料が、第1の領域における傾斜シリコンゲルマニウム基板材料の格子面間隔より小さい、シリコン材料の格子面間隔によって引き起こされる引っ張り歪を経験するべく、傾斜シリコンゲルマニウム基板の第1の領域上に選択的に蒸着されたシリコン材料のNMOSチャンネル、および(2)選択的に蒸着されたシリコンゲルマニウム材料が、第2の領域における傾斜シリコンゲルマニウム基板の格子面間隔よりも大きい、選択的に蒸着されたシリコンゲルマニウム材料の格子面間隔によって引き起こされる圧縮歪を経験すべく、基板の第2の領域上に選択的に蒸着されたシリコンゲルマニウム材料のPMOSチャンネルを有する。

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